面束缚电荷密度取决于电极化强度的表面法向分量 $\displaystyle \sigma = \frac{\mathrm dq}{\mathrm dS} = P \cos \theta = \boldsymbol P · \boldsymbol e_n$.,可以得到 $\displaystyle q_{out} = \oint_S \mathrm d q_{out} = \oint_S \boldsymbol P · \mathrm d\boldsymbol S$,且 $q_{in} = -q_{out}$.
介电强度:电介质的绝缘性能稳定状态能承受的最大电场强度。
D 的高斯定律:任意封闭曲面的电位移通量等于封闭面包围的自由电荷的代数和:$\displaystyle \oint_S (\epsilon_0 \boldsymbol E + \boldsymbol P)·\mathrm d \boldsymbol S = \sum q_{0in}$(由高斯定律和束缚电荷密度公式合并而来),其中电位移 $\boldsymbol D = \epsilon_0 \boldsymbol E + \boldsymbol P = \epsilon_0 \epsilon_r \boldsymbol E = \epsilon E$,单位 $C / m^2$。